突破人性的极限!英特尔首次推出3nm工艺

时间:2019-10-08    来源:英国365bet公司    作者:365bet在线娱乐场
?震撼人性的极限!
英特尔首次将该工艺暴露在3nm
2017-09-1916:9来源:技术快速作者:Q编辑文本:文本评论超过Q(0)
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近年来,英特尔新技术的步伐明显放缓。三星,台积电是傲慢的,并没有遵循惯例。节点名称相当随机。16nm处的优化被推至呼吸,也称为12nm或甚至10/9/8 /7 / 6 / 5nm。
这个版本的英特尔并不快,但听起来真的很混乱。毕竟,它似乎并不是自发的。
凭借精致的制造日期,今天英特尔将其自己的10 MHz工艺与台积电和三星进行了比较,试图证明他在技术上是最先进的实际10纳米工艺。
对于未来,英特尔有很多好卡,10纳米产品即将发布,这基本上是7nm,5nm,3nm准备好的计划。
英特尔提供的路线图仍处于5纳米和3纳米研究的最前沿,但如何实现完成,批量生产仍然未知,但无论如何这都是英特尔技术搜索硅半导体将不那么紧密Seguir
为了达到5纳米,3纳米,英特尔还在边境等地进行了大量的技术研究。
-Nanowire晶体管:纳米线结构进一步被视为未来技术的选择,因为它提供更好的通道质量,最小化晶体管的栅极长度。
-III-V材料:硅通常是用于MOSFET沟道的材料,但III-V材料如砷化镓和磷化铟改善了载流子迁移率以提供更高的性能和晶体管menorEl允许它以更低的电压和更低的有功功率运行。
-Apilamiento 3D:3D堆叠硅晶片有机会整合系统,在不同的地方组合不同的技术吗?。
-Dense Memory:他们探索和开发各种不同的内存选项,例如易失性和非易失性,高密度存储技术。
- 高密度互连:对于微调过程,小互连与小晶体管一样重要。
他们正在探索支持高密度互连的新材料,技术和设计。
13:使用极紫外(EUV)光刻。
5nm波长。
工具波长为193 nm今天,它们已经达到了微链接技术的极限,这种技术已经被开发用于实现进一步的小型化。
-Spintronics:超越CMOS的技术。如果CMOS不再是微型,那么这是一种提供非常高密度和低功率电路的选择。
-Neuron computing:一种设计和架构或不同的处理器,执行一些计算功能,远高于当前的节能计算机?。
每个人都知道摩尔定律的局限性。
有趣的是,台积电在5纳米和3纳米?宣布计划制造o,表示3或400人已经在3纳米工作,但没有透露任何细节。
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